电子光学控制器是一种将光量的变化转化为功耗变化的转换器。应用非常广泛，长期以来一直应用于航空航天、中医药、科学研究、工业控制、家用电器产品、船舶工作等领域。光电传感器的基本知识是光电效应，可以根据光电效应制造各种光电传感器。今天，为您详细介绍光电效应的基本基本知识。在早期阶段，我们使用光电效应来制造光电管道。其建模设计和结构如图所示。这是一个真空玻璃晶体气泡，在气泡的内壁与金属复合材料或氢氧化物的一部分，作为光电管的负水平。光电管的阳极处理是金属复合球的环形线或半圆元素。
光电管的结构
光电效应的实验设备如图所示。如果光电管道的阳极处理a连接到高电位，负K连接到低电位差，则在阳极处理和负水平之间有一个加速电场，电场方向由a侧重K。AK电流计V加载中间工作频率，变阻器R获得工作频率规格。在图中，G这是一个敏感的电流计。测试注意，当负水平不被光照射时，大多数开关电源原理没有电流值;当负水平被光照射时，电流值立即出现在开关电源原理中。电流值持续多久;当光停止时，电流值消退。这表明，当光照射时，电子元件从电子光学负水平逃逸。在加速电场的作用下，电子元件飞向阳极，导致控制电路中的光电流。
实验设备的光电效应
化合物在光的作用下释放电子元件，这种情况称为光电效应。光电效应一般分为外部光电效应和内部光电效应。
光电效应
1.外部光电效应
在光源的作用下，物体块中的电子元件从物体块的表面逸出，发射点称为外部光电效应。根据外部光电效应的半导体器件包括光电管、光电倍增管等。
2.内部光电效应
两条线之间的偏差发生变化，或者导致光生电动势的效应称为内部光电效应。内部光电效应可分为以下两类。
1)电子光导效应
在光源的作用下，电子元件消化光子美容机械可以从键合情况随意接收，并导致原材料电阻的变化，这种情况称为电子光学导电效应。绝大多数高电阻半导体器件都具有电子光学导电效应。具有这种效应的半导体器件具有光敏电阻(也称为电子光学塑料软管)，其通用原料为硫化镉(CdS)，硫化铅(PbS)，锑化铟(InSb)，非晶硅(a-Si：H)等。
在光源照射下，纯半导体器件中的电子元件被机械能超过或等于禁止宽度Eg(eV)光子美容的兴起，从价格带穿过禁止的自由电荷到导电带，到自由电荷。在一起，价格带也会导致随机的空化。导致纯半导体器件中导电带和价格带的空化浓度值扩大，半导体器件的电阻降低。(a)图例。电子元件和空蚀统称为载流子。它们可以在端电压的作用下产生光电流。当光停止时，缺失电子元件的分子结构捕获自由电荷，变阻器修复固定资产的原值。它可以使电子元件的价格自由充电到光谱分析仪的光波长λ0(nm)称为截止波长，λ0≈1240/Eg。
N在光照下，如果光子美容机械能超过主能级和导带底能的专业等级差，或者主能级和全带顶能的专业等级差超过施主能级和导带底能的专业等级差Ei(eV)，得到图(b)或图(c)图例，光能被消化，引起光生电子元件或空蚀，可以注册电导率。由掺杂半导体器件引起的光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。
当光敏电阻连接到交流电流时Vb，同样的使用必须是抗拉强度，光波长低于λ当0光源连续直射时，它导出交流电流i0为
式中，η内光量子效率高(光生载流子数与人光子美容数的比例);μc——大部分载流子的迁移率;τ——大部分载流子使用寿命;d——光敏电阻两电级间距;p——灯源射入功率;e——普朗克常数为6.6261×10-34Js。
随着光能的增加，虽然光生载流子的浓度也急剧增加，但电子元件与空蚀之间的复合速率也加快了。因此，低于截止波长的光动能与半导体引起的光电流的特征趋势图不是线性相关的。
2)光生伏特效物块(如半导体器件)
在光的照射下，能产生一定方向的电动势的情况称为光伏效应。基础。具有这种效应的半导体器件包括光电池、光敏二极管和光敏三极管。
根据其基本原理，光生伏效应可分为：
侧面光生伏特效应
侧面光生伏效应也称为殿巴(Dember)效应。
当半导体器件半导体器件的光机敏感表面受光不均匀影响时，载流子浓度梯度引起的光电效应称为侧光生伏效应。根据这种效应，半导体器件具有半导体器件的敏感电子器件(通称PSD)，或转动光敏二极管。
侧光生伏效应的基本工作原理是，半导体器件的照明部分吸收人类光子美容的机械能，导致电子元件的空蚀对，使这部分载流子的浓度高于未照明部分。因此，存在浓度梯度，导致载流子扩散。由于电子元件的迁移率大于空化，电子元件最初扩散到未照明的部分，导致照明部分带正电，未照明部分带负电，导致两部分之间的光电势头。
PN结光生伏特效应
半导体器件的光照射非常接近表层PN结时，与附近的半导体器件一起消化光能。如果光子美容机械能超过禁止带的宽度，价格带电子元件自由充电到导带，成为自由充电，而价格带相对成为随机空蚀。这个电子元件是空的PN结内部电场的作用下，电子元件调到N区两侧，空蚀调到P区两侧，结果P区带正电，N区域带负电，导致光电势。
PN结光生电流值与人光照度成正比，光生伏特与光照度成正比。
由于光生电子元件在扩散过程中与半导体器件和电子元件复合，载流子的使用寿命与扩散长度有关。PN结距表层的厚度小于扩散长度，可导致光电流产生光伏。在建设项目中，应用变更PN可以根据距离表层厚度的方法进行调整PN半导体器件结光生伏特效应的相频特性，光电电流与光生电势差的规格。
根据这一效应，半导体器件包括光电池、太阳能电池、光敏二极管和光敏三极管。根据设计方案和生产加工工艺，如果光电池在没有外部电源的情况下工作，则会产生太阳能电站效应。当光感应管在反向偏置压下工作时，存在光导效应和太阳能电站效应。它们输出的光电流与光强度线性相关。
电子光学磁效应PEM效应)
当半导体器件受到强光的直接辐射，并在光的垂直方向上增加更多的磁场时，电子光学磁效应称为电子光学磁效应。它可以用作光扩散电流值的霍尔效应。
