电子光学控制板是一种将光量变化转化为功耗变化的转换器。应用非常广泛，长期以来一直应用于航空航天、中医药、科研、工业控制、家用电器产品、船舶工业等领域。光电传感器的基本知识是光电效应，可以根据光电效应制造各种光电传感器。今天，为了详细解释光电效应的基本知识。在早期阶段，我们使用光电效应来制造光电管道。其建模设计和结构如下图所示。它是一个真空的玻璃晶体气泡，在气泡的内壁有一部分涂有金属复合材料或氢氧化物，作为光电管的负水平。光电管的阳极处理是这种环形细线或半圆元素的金属复合球。
光电管结构
光电效应的实验设备如下图所示。如果光电管道的阳极处理a连接到高电位，而负K连接到低电位差，则在阳极处理和负水平之间有一个加速电场，电场的方向由偏重K。AK中间的工作频率由电流计V加载，工作频率的规格由变阻器R得出。G这是一个敏感的电流计。实验强调，当负电平没有被光照射时，大多数开关电源原理没有电流值;当负电平被光照射时，电流值立即出现在开关电源原理中。电流值持续多久;当光停止时，电流值消散。这表明，当光照射时，电子元件从电子光学负级逃逸。在加速电场的作用下，电子元件飞向阳极，导致控制电路中的光电流。
实验设备的光电效应
化合物在光的作用下释放电子元件，这种情况称为光电效应。光电效应通常分为外部光电效应和内部光电效应。
光电效应
1.外部光电效应
在光源的作用下，物体块中的电子元件从物体块表面逸出，向外发射点的情况称为外部光电效应。根据外部光电效应，半导体器件包括光电管、光电倍增管等。
2.内部光电效应
两条线之间的误差发生变化，或者导致光电动势的效应称为内部光电效应。内部光电效应可分为以下两类。
1)电子光导效应
在光源的作用下，电子元件消化光子美容机械可以从键合状态连接到随机状态，导致原材料电阻的变化，称为电子光学导电效应。大多数高电阻半导体器件都具有电子光学导电效应。基于这种效应的半导体器件具有光敏电阻(也称为电子光学塑料软管)，其常见的原料是硫化镉(CdS)，硫化铅(PbS)，锑化铟(InSb)，非晶硅(a-Si：H)等。
在光源的照射下，纯半导体器件中的电子元件被机械能超过或等于禁止宽度Eg(eV)光子美容的刺激，从价格带过禁止的自由电子到导电带，到自由电子。在一起，价格带也会导致随机的空化。导致纯半导体器件中导电带和价格带的空化质量浓度扩大，半导体器件的电阻降低(a)图例。电子元件和空蚀统称为载流子。它们可以在端电压的作用下产生光电流。当光停止时，自由电子被缺失电子元件的分子结构捕获，变阻器修复固定资产的原始值。它可以使价格与电子元件自由电子到光谱分析仪水平，其光波长λ0(nm)称为截止波长，λ0≈1240/Eg。
N在光照下，如果光子美容机械能分别超过主能水平和导带底能水平之间的专业水平差异，或主能水平与全能水平之间的专业水平差异Ei(eV)，得出图(b)或图(c)图例，光能被消化，刺激光生电子元件或空蚀，可以报名参与电导率。由参与半导体器件引起的光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。
电子光导电效应电路原理图
当光敏电阻连接到交流电流时Vb，共享抗拉强度，光波长小于λ当0的灯源连续照射时，其输出交流电压i0为
式中，η内光量子效率高(光生载流子数与人射光子美容数的比例);μc——大多数载流子的迁移率;τ——大部分载流子使用期;d——光敏电阻两电级间距;p——光源射入功率;e——普朗克常数为6.6261×10-34Js。
随着光能的提高，虽然光生载流子的质量浓度也激增，但电子元件与空蚀之间的复合速度也加快了。因此，低于截止波长的光动能与半导体引起的光电流的特征趋势图没有线性相关性。
2)光生伏特效物块(如半导体器件)
在光的照射下，能导致确定方向的电动势的情况称为光伏效应。基础。具有这种效应的半导体器件包括光电池、光敏二极管和光敏三极管。
根据其导致电势差的基本原理，分为：
侧边光生伏特效应
侧边光生伏效应也称为殿巴(Dember)效应。
当半导体器件半导体器件的光机敏感表面受光不均匀影响时，载流子浓度梯度引起的光电效应称为侧光生伏效应。根据这一效应，工作中的半导体器件具有特电子器件(统称PSD)，或旋转光敏二极管。
侧边光生伏效应的基本工作原理是，半导体器件的光照部分吸收人体光子美容的机械能，导致电子元件的空蚀对，使这部分载流子的质量浓度高于未照明部分，从而产生浓度梯度，导致载流子的扩散。由于电子元件的迁移率大于空化，电子元件最初扩散到未照明的部分，导致照明部分带正电，未照明部分带负电，导致光电势头在两部分中间。
PN结光生伏特效应
光直射非常接近表面的半导体器件PN结时，与附近的半导体器件一起消化光能。如果光子美容机械能超过禁止的宽度，价格带电子元件将自由电子转化为自由电子，而价格带的相对性将转化为随机空蚀。这种电子元件的空蚀对PN结内部电场的作用下，电子元件调到N区两侧，空蚀调到P区两侧，结果P区带正电，N区域带负电，造成光电动势。
PN结光生电流值与人光照度成正比，光生伏特与光照度成正比。
由于光生电子元件在扩散过程中与半导体器件和电子元件复合，载流子的使用寿命与扩散长度有关。PN结距表面的厚度小于扩散长度，可导致光电流和光伏。在建设项目中，应用变更PN可以调整距离表面厚度的方法PN半导体器件结光生伏特效应的相频特性，光电电流与光生电势差的规格。
根据这一效应，半导体器件包括光电池、太阳能电池、光敏二极管和光敏三极管。根据方案设计、生产、加工和制造工艺，使光电池在没有外部电源的情况下工作，从而产生太阳能电站效应。当光感应管在相反方向的偏压下工作时，存在光导效应和太阳能电站效应。它们输出的光电流与光强度线性相关。
电子光学磁效应(统称PEM效应)
当半导体器件受到强光照射，并在光的垂直方向上增加更多的磁场时，电子光学磁效应称为电子光学磁效应。它可以用作光扩散电流值的霍尔效应。
贝克勒耳(Becquerel)效应
贝克勒耳效应是液体中的光伏效应。当光照射在浸泡在锂电池电解质中的两个相同电级中的任何一个电级时，两个电级之间的电位差将被称为贝克勒耳效应。根据这种效果，有一个感光电池。
